科创板自2018年11月设立一年多以来，无数创新型企业如雨后春笋般公开发行并上市，进一步完善了资本市场基础制度、激发市场活力并保护了投资者合法权益，本公众号也将从知识产权角度，持续关注具有良好前景的新受理企业。
北京天科合达半导体股份有限公司
北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为18384万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。
公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。公司坚持现代企业管理制度，具备完整、规范的管理体系，已通过ISO9001:2015质量管理体系认证。总部公司设在北京市大兴区生物医药基地，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地；全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市，主要进行碳化硅晶体生长。
公司是国内成立时间最早、规模最大的碳化硅晶片制造商之一。公司聚焦第三代半导体碳化硅材料领域，致力于不断提高碳化硅晶片的尺寸与质量，目前已经掌握 6 英寸碳化硅晶片的制造技术，并成功实现批量供应。公司部分产品在整体性能指标上与国际半导体龙头企业不分伯仲，开始在全球范围内与美国 CREE公司、美国 II-VI 公司等国际碳化硅晶片龙头企业直接竞争。公司作为国内一流的碳化硅晶片制造商，在不断追赶国际先进技术的同时，也不断扩大自己在全球碳化硅晶片市场的份额。根据 Yole Development 统计，2018 年公司导电型晶片的全球市场占有率为 1.7%，排名全球第六、国内第一。
主要财务数据
科创属性情况
北京天科合达从事的半导体行业是现代电子信息产业的基础，是支撑国民经济高质量发展的重要行业。半导体行业市场规模较大，产业链较长，技术门槛较高。半导体行业的产业链可大致分为设备、材料、设计等上游环节，器件制造与封装等中游环节，以及终端应用等下游环节。
截止目前拥有共28项国内专利，6项国际专利，主要涉及碳化硅晶体生长装置、控制装置、处理方式以及制备方法，碳化晶体制造加工下游工艺和各类提高硅晶体质量等级的处理方法。主要可以应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于5G通讯、雷达等领域。
竞争对手状况
国内同属于碳化硅晶片行业的可比公司为非上市公司，未公开披露详细的财务及业务相关数据；国外可比公司属于多主业经营的上市公司，在公开信息中未披露细分业务的分部信息详情，因此发行人无法获得可比公司关于相关业务的生产经营和财务数据。由于同行业可比公司公开信息的缺失，投资者难以直观和全面地判断发行人与竞争对手之间的差异，将对投资者做出投资决策造成不利影响。
自主知识产权核心技术
经过多年研发投入和技术积累，拥有自主知识产权的“PVT 碳化硅单晶生长炉制造技术”、“高纯度碳化硅生长原料合成技术”、“PVT 碳化硅晶体生长技术”、 “低翘曲度碳化硅晶体切割技术”、 “碳化硅晶片精密研磨抛光技术”和“即开即用的碳化硅晶片清洗技术”等六大核心技术体系，覆盖“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”的碳化硅晶片生产的全流程。
知识产权的数量
截至报告期末，公司拥有15项注册商标，包括13项国内商标和2项国际商标，部分情况如下：
拥有28项国内专利，其中发明专利27项，实用新型1项。拥有6项国际专利，部分情况如下：
共取得2项软件著作权，具体情况如下：
北京天科合达半导体股份有限公司以“经济高质量发展”为原则，自设立以来专注于第三代半导体碳化硅材料的技术研究、开发与生产。
目前，我国碳化硅市场仍处于新兴起步阶段。只有不断突破碳化硅晶片技术瓶颈，强化从业人员技术资质水平，才能有效提升碳化硅半导体材料国产化率。
